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三星发现新半导体资料 内存、闪存迎来革新加快新一代半导体面世

发帖时间:2021-06-19 05:02:59

三星发现新半导体资料 内存、闪存迎来革新加快新一代半导体面世。

   资料内参         发布时刻:2020-07-07 10:37:04 新资料 + 重视专题 最新资讯。
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三星电子宣告,三星先进技术研讨院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学,发现了一种全新的半导体资料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride),简称a-BN,有望推进下一代半导体芯片的加快开展。

三星发现新半导体材料 内存、闪存迎来革命加速新一代半导体问世

近年来,三星 SAIT一向在研讨二维(2D)资料具有单原子层的晶体资料的研讨和开发。详细而言,该研讨所一向致力于石墨烯的研讨和开发,并在该范畴取得了突破性的研讨成果,例如开发新的石墨烯晶体管以及出产大面积单晶晶片的新方法。石墨烯。除了研讨和开发石墨烯外,SAIT还致力于加快资料的商业化。


“为了增强石墨烯与根据硅的半导体工艺的兼容性,应在低于 400°C 的温度下在半导体衬底上进行晶圆级石墨烯成长。” SAIT的石墨烯项目负责人兼首席研讨员 Shin Hyeon-Jin Shin 表明。“咱们还在不断尽力,将石墨烯的使用规模扩展到半导体以外的范畴。”。


新发现的资料称为无定形氮化硼(a-BN),由具有非晶分子结构的硼和氮原子组成。虽然非晶态氮化硼衍生自白色石墨烯,其间包含以六边形结构摆放的硼和氮原子,但实际上 a-BN 的分子结构使其与白色石墨烯具有共同的差异。


无定形氮化硼拥有无固定形状的分子结构,内部包含硼原子、氮原子。它源自白石墨烯,后者也有硼原子、氮原子,不过是六边形结构,无定形氮化硼则与之天壤之别。


无定形氮化硼具有 1.78 的同类最佳的超低介电常数,具有强壮的电气和机械性能,能够用作互连阻隔资料以最大程度地削减电搅扰,还证明了该资料能够在仅 400°C 的低温下以晶圆级成长。因而,估计无定形氮化硼将广泛使用于比如 DRAM 和 NAND 解决方案的半导体,尤其是在用于大型服务器的下一代存储器解决方案中。

三星发现新半导体材料 内存、闪存迎来革命加速新一代半导体问世

据了解到,SAIT副总裁兼无机资料实验室负责人Park Seongjun Park表明:“最近,人们对2D资料及其衍生的新资料的爱好不断添加。可是,将资料使用于现有的半导体工艺依然存在许多应战,咱们将持续开发新资料来引领半导体范式的改变。”。


三星表明,无定形氮化硼的介电常数十分之低,只要戋戋1.78,一起又有很强的电气和力学特点,作为一种互连阻隔资料能够大大削减电子搅扰,并且只需400℃的超低温度,就能成长到晶圆等级尺度。


三星以为,无定形氮化硼有望广泛使用于DRAM内存、NAND闪存的制作,特别合适下一代大规模服务器存储解决方案。

本文来历:超能网,快科技,IT之家。

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